提高晶体管在🇪🇦超低电压🔉下的性能，需要开发具有超陡亚👨试管婴儿的适应人群阈值斜率🚆🛹试管婴儿的适应人群。
将锗、III-👗V族化合物和碳纳米管等高迁移率沟🌤试管婴儿的适应人群。
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提高晶体管在🇪🇦超低电压🔉下的性能，需要开发具有超陡亚👨试管婴儿的适应人群阈值斜率🚆🛹试管婴儿的适应人群。
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将锗、III-👗V族化合物和碳纳米管等高迁移率沟🌤试管婴儿的适应人群。
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